东芝推出采用其最新一代工艺的80VN沟道功率MOSFET，助力提高电源

中国上海，2020年3月30日东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）今日宣布，其U-MOS X-H系列产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。

U-MOS X-H系列产品示意图

新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的TPH2R408QM以及采用TSON Advance封装的TPN19008QM。产品于今日开始出货。

由于采用了其最新一代的工艺制造技术，与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性^[1]之间的平衡也得到了进一步的改善^[2]。因此，新产品可提供业界最低^[3]功耗。

东芝正在扩展其降耗型产品线，从而为降低设备功耗提供帮助。

应用：

开关电源（高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等）

电机控制设备（电机驱动等）

特性：

业界最低^[3]功耗（通过改善导通电阻与栅极电荷特性^[2]之间的平衡）

业界最低^[3]导通电阻：

RDS(ON)=2.43mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPH2R40QM）

RDS(ON)=19mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPN19008QM）

高额定通道温度：Tch=175℃